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一分pk10app ;创新平台/深耕智慧科技 工研院打造新兴内存-北京房产网

2020年04月09日 16:29:42 一分pk10app

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MRAM有多厉害?工研院电子与光电系统研究所组长许世玄指出,MRAM读写速度比快闪存储器速度快上百倍、甚至千倍大发极速pk10注册 。MRAM低电压操作特性,易与先进制程整合,非常适合使用于高阶处理器。

但MRAM迈向主流之路,还有缺点待克服;MRAM的结构是像三明治的非挥发性内存,两层磁性材料中间夹上一层厚度只有0.3-0.7奈米的超薄绝缘层,在元件进行读写的过程中,电流都会从绝缘层通过,一分pk10app 每一次的读写都会造成绝缘层的破坏,影响MRAM的寿命。

AI、5G、IoT等应用的发展让资讯量呈现爆炸性的成长,庞大资料量不仅带来更高容量的储存需求,同时因应高速运算需求,内存还需要具备更快的资料读取速度。面对更多、更快、更低功耗的资料存取需求,传统的内存逐渐遇到瓶颈,新兴内存如磁阻式随机存取内存(Magnetic Random Access Memory,MRAM)继而被看好崛起。一分pk10app

历经多年的努力,相关的技术已成功的导入工研院自有的试量产晶圆厂,后续商品化的进度可期一分pk10app ,团队并于2019年成功的在全球指标性的IEEE国际电子元件会议(IEDM)中发表相关成果;在这个以创新前瞻为导向的国际舞台发光,也证明了团队的研发成果获得肯定,持续朝工研院以智慧科技创造幸福新生活的「2030技术策略与蓝图」迈进。

团队大胆的将原本两端点操作的MRAM技术,改换成三端点元件结构与操作模式,也就是让电流与电压多一个进出的端点,让内存读与写走不同的路。写入资料需要较大的电压跟电流,对绝缘层的耗损比读取资料来得大,因此工研院开发的SOT MRAM另辟蹊径,在写入资料时让电流不会经过绝缘层,大发好运pk10走势 少了主要的耗损因素,可靠度因此大幅提高。

种种优点让各界看好MRAM有机会成为嵌入式内存界的共主。为此,一分pk10app 工研院早在2002年投入相关开发,以厚实的研发实力撑起产业多元应用。

此外,在研发的过程中要应付的难题也不少!工研院电光系统所经理魏拯华回忆, SOT MRAM元件中有复合式金属叠层,制程上非常难控制,蚀刻位置与蚀刻终点控制一旦有错,整个芯片就报销了。

创新平台/深耕智慧科技 工研院打造新兴内存

为了解决这个问题,工研院在经济部技术处的支持下,投入了下世代SOT MRAM(自旋霍尔式MRAM)的研发。

为此,研发团队在元件架构与制程上花费巧思设计,利用多段式制程方式完成核心制程制作。多段式制程可更精准控制蚀刻过程,达到所要蚀刻的位置,提升良率。一分pk10app

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